Department Materialtechnologie

In der Materialtechnologie beginnt die Umsetzung der Konzepte für optoelektronische und elektronische Bauelemente. Als Kompetenzzentrum für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellt die Abteilung ultradünne Halbleiter-Schichtstrukturen her. Dazu werden auf einem einkristallinen Substrat, Atomlage für Atomlage, homogene Schichten mit exakt definierten Eigenschaften aufgewachsen. Diese Wafer werden in der Prozesstechnologie mittels Ätz- und Metallisierungstechniken weiterbearbeitet zu Bauelementen.

Bedienerbereich Epitaxie
Bedienerbereich im Epitaxielabor

Die so hergestellten Schichtstrukturen basieren auf den Materialsystemen (Al,Ga)As, (Al,Ga,In)P, (Ga,In)(As,P) und (Al,Ga,In)N. Dazu sind sieben MOVPE-Anlagen im Einsatz, mit denen die Herstellung von Schichtstrukturen in den folgenden Kapazitäten möglich ist:
12 x 4" für die GaAs-Epitaxie sowie 6 und 11 x 2" bis 8 x 4" für die GaN- und AlN-Epitaxie.

Zur Herstellung absorptions- und versetzungsarmer AlN-Schichten als Templates für das nachfolgende Wachstum von Schichtstrukturen aus (Al,In)GaN wird das Verfahren der Hydrid-Gasphasenepitaxie erforscht.

Die Entwicklung und Optimierung des Schichtwachstums wird durch eine Vielzahl analytischer Methoden unterstützt, um die Eigenschaften der gewachsenen Schichtstrukturen optisch, elektrisch und strukturell zu untersuchen.

Als Epiwafer-Foundry bietet das FBH sein Know-how und seine Epitaxiekapazitäten auch externen Kunden zur Realisierung kundenspezifischer Schichtstrukturen in exzellenter Qualität an. Auf Wunsch führt das Institut materialanalytische Untersuchungen an Halbleiterschichten und Bauelementen durch.