Patente

"Vorrichtung zur punktförmigen Fokussierung von Strahlung"
DE 10 2006 027 126 B3


"Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2004 052 857 B4


"Optoelektronisches Element und Verfahren zur kohärenten Kopplung von aktiven Bereichen optoelektronischer Elemente"
DE 10 2004 038 283 B4


"Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte Halbleiterbaugruppen"
DE 10 2004 014 018 B3       EP 1 726 063 B1       US 7,612,728 B2
EP validiert in FR, GB


"Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge mittels Ätzen und Halbleiterbauelement"
DE 102 00 360 B4       EP 1 464 098 B1
EP validiert in GB, DE, CH, SE, IE, NL, FI, FR


"Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen"
DE 102 21 952 B4        EP 1 514 335 B1        US 7,338,821 B2
EP validiert in CH, FI, FR, GB


"Laserresonatoren mit modenselektierenden Phasenstrukturen"
EP 1 295 371 B1        US 6,920,160 B2       JP 4785327 B2
EP validiert in GB, FR, DE, FI


"Mikroplasmaarray"
JP 5188815        US 8,545,764 B2


"Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern"
US 8,158,514 B2       JP 5080456


"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von kohärenter Terahertz-Strahlung"
DE 10 2006 041 728 B4        EP 2 057 720 B1
EP validiert in FR, GB


"Verfahren zur Erzeugung von Durchkontaktierungen in Halbleiterwafern"
JP 5123185        US 8,455,355 B2


"Vorrichtung zur Frequenzverdopplung von Laserstrahlung"
DE 10 2007 063 492 B4        EP 2 235 590 B1
EP validiert in CH, DE, DK, FR, GB, IE


"Verfahren zur Herstellung von c-plane orientierten GaN- oder AlxGa1-xN-Substraten"
EP 1 841 902 B1
EP validiert in DE


"Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums"
US 7,864,311 B2        DE 10 2005 028 268 B4       EP 1 891 408 B1
EP validiert in AT, CH, FR, GB, DE


"Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad"
DE 10 2009 013 921 B3        US 8,648,466 B2


"Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums"
DE 10 2009 029 648 B3        US 8,310,672 B2        EP 2 480 868 B1
EP validiert in DK, FR, SE, GB, CH


"Vorrichtung, Tastkopf und Verfahren zur galvanisch entkoppelten Übertragung eines Messsignals"
DE 10 2005 061 683 B4        US 7,893,683 B2        EP 1 966 615 B1
EP validiert in FR, GB


"Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
US 8,003,996 B2        EP 2 095 433 B1
EP validiert in DE, GB, CH


"Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
EP 2 262 067 B1
EP validiert in DE, CH, GB, FR


"Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank"
JP 5677420 B2       US 8,659,815 B2        KR 10-1572945 B1       EP 2 440 968 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FR, GB


"P-Kontakt und Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich"
JP 5689466 B2        KR 10-1642276        US 9,331,246 B2        EP 2 454 762 B1
EP validiert in AT, BE, DE, CH, ES, FR, GB, IE, IT, NL


"Skalierbarer Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit"
US 8,901,671 B2       EP 2 534 685 B1       JP 5738322 B2
EP validiert in DE, BE, AT, FR, GB, NL


"Self-Adjusting gate BIAS network for field effect transistors"
US 8,324,971 B2


"Diodenlaser mit einem externen frequenzselektiven Element"
DE 10 2011 006 198 B4       US 8,867,586 B2


"Miniaturisierbare Plasmaquelle"
DE 10 2010 001 395 B4       EP 2 529 601 B1       US 8,796,934 B2
EP validiert in AT, CH, FR, GB, IT, PL


"Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz"
DE 10 2011 086 744 B3       US 8,846,425 B2


"Broad Area Diode Laser with High Efficiency and Small Far-Field Divergence"
US 8,537,869 B2


"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas"
DE 10 2012 204 447 B4       EP 2 642 833 A2
EP validiert in GB, FR


"Halbleiterbauelement mit Feldplattenstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung"
JP 5512287       US 8,866,191 B2       EP 2 135 286 B1
EP validiert in DE, FR, GB


"Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit"
US 9,343,873 B2       EP 2 617 110 B1
EP validiert in AT, CH, FI, FR, GB, IE, IT, DE


"Photodetektor"
DE 10 2011 075 103 B4       US 9,431,557 B2


"Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität"
US 8,675,705 B2       EP 2 467 909 B1
EP validiert in CH, DE, FR, SE


"Two-Cavity Surface-Emitting Laser"
US 8,824,518 B2


"Diodenlaser mit hoher Effizienz"
US 8,798,109 B2       EP 2 666 213 B1
EP validiert in CH, DE, FI, FR, IE, GB, IT


"Auto-Heterodynempfänger"
US 9,100,113 B2


"System zur Frequenzkonversion sowie Halbleiterbauelement"
US 9,008,145 B2       EP 2 650 985 B1
EP validiert in DE, AT, CH, FI, FR


"Lichtleitvorrichtung und Vorrichtung umfassend eine Lichtleitvorrichtung und Mittel zur Ausstrahlung linear angeordneter, paralleler Lichtstrahlen"
DE 10 2014 203 479 B3       EP 3 111 267 B1       JP 6403792 B2       US 10,295,831 B2
EP validiert in DE, CH, FR, GB, IE, NL, SE


"Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren"
US 8,994,036 B2       EP 2 654 078 B1
EP validiert in DE, FR, GB, SE


"Halbleiterschichtenstruktur"
US 8,809,968 B2       DE 10 2012 207 501 B4       EP 2 662 896 B1
EP validiert in DE, BE, FR, GB, IT


"Vorrichtung und Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen"
DE 10 2012 209 485 B4       US 9,448,423 B2       EP 2 672 311 B1
EP validiert in DE, FR, GB


"Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals"
US 8,559,098 B2       DE 10 2008 056 096 B4


"Vorrichtung mit einer Anordnung optischer Elemente"
DE 10 2012 216 164 B4       US 9,563,061 B2       JP 6255022 B2       EP 2 895 844 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FI, GB, IT


"Photodetektor und Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser diesen umfassend"
DE 10 2014 225 632 B3


"Optisches Gitter für Littrow-Aufstellung und optische Anordnung unter Verwendung des optischen Gitters"
DE 10 2012 208 772 B4


"UV LED with Tunnel-injection Layer"
US 9,705,030 B2


"Verfahren zum Ausbilden eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und Vorrichtung mit einem Metallkontakt"
EP 3 084 808 B1       DE 10 2013 226 270 B3       KR 10-1831216       US 9,768,356 B2       JP 6511451 B2
EP validiert in DE, FR, GB, IE, PL


"Strahlungsdetektor und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2017 103 687 B3


"Vorrichtung zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransisitors"
DE 10 2017 108 828 B3


"Struktursystem zum Aufbau photonischer integrierter Schaltkreise und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2018 108 114 B3